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Êtes vous sûr d'employer de la RAM 133Mhz, vous
avez toujours des problèmes avec l'overclocking ... êtes
vous sûr que la RAM est vraiment cadencée à 133Mhz?
Voilà comment déchiffrer les codes et en être sûr
!
Mais avant de commencer voici les différents types de mémoires
les plus fréquements rencontrés :
DRAM PM
La DRAM (Dynamic RAM, RAM dynamique) est le type de mémoire le
plus répandu au début du millénaire. Il s'agit d'une
mémoire dont les transistors sont rangés dans une matrice
selon des lignes et des colonnes. Un transistor, couplé à
un condensateur donne l'information d'un bit. 1 octet comprenant 8 bits,
une barrette de mémoire DRAM de 256 Mo contiendra donc 256000000*8
bits soit 2 048 000 000 (256000000*8) transistors. Ce sont des mémoires
dont le temps d'accès est de 60ns.
D'autre part, les accès mémoire se font généralement
sur des données rangées consécutivement en mémoire.
Ainsi le mode d'accès en rafale (burst mode) permet d'accèder
aux trois données consécutives à la première
sans temps de latence supplémentaire. Dans ce mode en rafales,
le temps d'accès à la première donnée est
égale au temps de cycle auquel il faut ajouter le temps de latence,
et le temps d'accès aux trois autres données est uniquement
égal aux temps de cycle, on note donc sous la forme X-Y-Y-Y les
quatre temps d'accès, par exemple la notation 5-3-3-3 indique une
mémoire pour laquelle 5 cycles d'horloge sont nécessaires
pour accéder à la première donnée et 3 pour
les suivantes.
DRAM FPM
Pour accélérer les accès à la
DRAM, il existe une technique, appelée pagination consistant à
accèder à des données situées sur une même
colonne en modifiant uniquement l'adresse de la ligne, ce qui permet d'éviter
la répétition du numéro de colonne entre la lecture
de chacune des lignes. On parle alors de DRAM FPM (Fast Page Mode). La
FPM permet d'obtenir des temps d'accès de l'ordre de 70 à
80 nanosecondes pour une fréquence de fonctionnement pouvant aller
de 25 à 33 Mhz.
DRAM EDO
La DRAM EDO (Extended Data Out, soit Sortie des données
amélioré parfois également appelé "hyper-page")
est apparue en 1995. La technique utilisée avec ce type de mémoire
consiste à adresser la colonne suivante pendant la lecture des
données d'une colonne. Cela crée un chevauchement des accès
permettant de gagner du temps sur chaque cycle. Le temps d'accès
à la mémoire EDO est donc d'environ 50 à 60 nanosecondes
pour une fréquence de fonctionnement allant de 33 à 66 Mhz.
Ainsi, la RAM EDO, lorsqu'elle est utilisée en mode
rafale permet d'obtenir des cycles de la forme 5-2-2-2, soit un gain de
4 cycles sur l'accès à 4 données. Dans la mesure
où la mémoire EDO n'acceptait pas des fréquences
supérieures à 66 Mhz, elle a disparu au bénéfice
de la SDRAM.
SDRAM
La SDRAM (Synchronous DRAM, traduisez RAM synchrone), apparue
en 1997, permet une lecture des données synchronisée avec
le bus de la carte-mère, contrairement aux mémoires EDO
et FPM (qualifiées d'asynchrones) possèdant leur propre
horloge. La SDRAM permet donc de s'affranchir des temps d'attente
dûs à la synchronisation avec la carte-mère. Celle-ci
permet d'obtenir un cycle en mode rafale de la forme 5-1-1-1, c'est-à-dire
un gain de 3 cycles par rapport à la RAM EDO. De cette façon
la SDRAM est capable de fonctionner avec une cadence allant jusqu'à
150Mhz, lui permettant d'obtenir des temps d'accès d'environ 10ns.
DDR-SDRAM
La DDR-SDRAM (Double Data Rate SDRAM) est une mémoire
basée sur la technologie SDRAM, permettant de doubler le taux de
transfert de la SDRAM à fréquence égale.
DR-SDRAM (Rambus DRAM)
La DR-SDRAM (Direct Rambus DRAM ou encore RDRAM) est un type
de mémoire permettant de transférer les données sur
un bus de 16 bits de largeur à une cadence de 800Mhz, ce qui lui
confère une bande passante de 1,6 Go/s. Comme la SDRAM, ce type
de mémoire est synchronisé avec l'horloge du bus pour améliorer
les échanges de données. En contrepartie, la mémoire
RAMBUS est une technologie propriétaire, ce qui signifie que toute
entreprise désirant contruire des barrettes de RAM selon cette
technologie doit reverser des droits (royalties) aux sociétés
RAMBUS et Intel.
Lecture de la RAM - Les paramètres que vous devriez
connaître
J'ai mis ce dossier en place car je suis sûr que peux
de personnes connaissent le sujet.
Cet article vous guidera et vous éclairera je l'espère :
-)
Ne vous êtes-vous jamais posé la question de
savoir si la RAM que vous avez acheté est vraiment celle que vous
vouliez ? À moins que le fabricant ne soit assez gentil pour coller
un autocollant sur la barrette de RAM avec les indications 64, 32, 100,
ou 133 inscrites quelque part, vous n'auriez pas un indice sur ce que
vous tenez en main. Qu'elle est sa vitesse, sa fréquence ?
Comment alors déchiffrer
les codes imprimés sur chaque puce ?
La 1ère étape est d'aller sur le site web des
fabricant avec l'espoir qu'ils sont assez sérieux pour avoir mis
en ligne une documentation décente. J'ai regardé les différent
site proposant des essais dans le but de découvrir ce qu'est une
barrette de RAM sans jamais trouver des information là-dessus.
Étrangement seul Hyundai (fabricant coréen
de voiture de la plupart d'entre nous) a une telle section sur son site
web. Nombreux, sont les centaines, de documents pdf qui détaillent
et expliquent simplement chaque code et vous indiquent la manière
pour que n'importe qui soit en mesure de reconnaître sa RAM. Rappelez-vous
des inscriptions, HY57V651620B Tc-75, car je vais ensuite vous expliquer
ce qu'elles signifient réellement.
|
A)
|
B)
|
C)
|
D)
|
E)
|
F)
|
G)
|
H)
|
I)
|
|
J)
|
K)
|
| HY |
57 |
V |
65 |
16 |
2 |
0 |
B |
/ |
|
TC |
75 |
| HY |
5X |
X |
XXX |
XX |
X |
X |
X |
X |
- |
XX |
XX |
| |
|
|
|
| A) |
Hyundai: |
HY |
Memory products |
| B) |
Groupe Produit: |
57 |
SDRAM |
| C) |
Processor & P/S |
V |
CMOS, 3.3V |
| D) |
Density & Refresh |
65 |
64M bits, 4k Ref |
| E) |
Data width |
16 |
x16 |
| F) |
Bank |
2 |
4 Banks |
| G) |
Interface |
0 |
LVTTL |
| H) |
Die generation |
B |
3rd Géneration |
| I) |
Consommation |
/ |
Puissance Normale |
| j) |
Package |
TC |
400mil TSOP-II |
| k) |
Vitesse |
75 |
7.5 ns (133MHz) |
Maintenant que ce le message caché semble avoir un
sens, nous voyons notre barrette RAM d'un meilleur œil, 7.5ns, 3ème
génération de matrice et fonctionnement à 133Mhz
juste comme nous prévoyions. Bien que celà ne soit pas un
exercice très utile si vous savez déjà ce que vous
avez, il peut peut s'avérer très utile si vous n'avez pas
d'indice sur l'identité et le type de votre barrette mémoire.
Un autre indication qui a été incluse dans
celle-ci; regardez vers la fin de la puce de la barrette ( après
une lettre habituellement) se trouve un nombre. Les nombres comme 7 ou
75 représentent une bande passante de la RAM à 7ns et 7.5ns
pour des barrettes PC133. Dans le mêm ordre d'idée, les chiffres
8, 85, 10 représentent les valeurs réelles de la bande passante
de 8ns, 8.5ns et 10ns ( valeurs exprimes en nanosecondes ) pour des barrettes
RAM PC100.
Tout en regardant les sites semblable au leur, je souhaitais
avoir plus d'informations sur la question "Puis-je avoir 64 mega
octets de RAM 133Mhz, svp". Outre les réponses trouvées
dans les sous-catégories en la matière, dont chacun d'entre
nous n'a rien à faire, certaines devraient néanmoins nous
interresser ...
La Hyundai HY57V651620B est une DRAM synchrone de 67,108,864-bit
CMOS, idéalement adaptée aux applications de mémoire
centrale qui exigent la grande quantité de mémoire et fréquence
élevée. HY57V651620B est organisé en quatre modules
( ou transistors ) soit, 1,048,576x16.
La HY57V651620B offre un fonctionnement entièrement
synchrone ambarqué à bord de l'horloge interne.Toutes les
entrées et sorties sont synchronisées avec le bord de montée
de l'entrée d'horloge.
Les circulations de données sont intérieurement
canalisées pour réaliser une largeur de bande maximale.Tous
les types de voltages d'entrée et de sortie sont compatibles avec
LVTTL.
Les options programmables incluent la longueur de la bande
passante ( Temps d'écriture de 2 ou 3), le nombre de lecture consécutive
ou écrivent des cycles initiées par une simple requête
(Burst length de 1,2,4,8 ou pleine page), et le comptage des requêtes
( séquences ou interpolations ).
Un bit de données en lecture ou écriture durant
un cycle peut être terminé par un bit cloturant la commande
ou peuvant être interrompus et remplacé par un nouvel bit
de données lu ou écrivant la commande sur n'importe quel
cycle. (cette conception canalisée n'est pas limitée par
une règle du ` 2N`.)
CARACTERISTIQUES
- Single 3.3š0.3V power supply
- All device pins are compatible with LVTTL interface
- JEDEC standard 400mil 54pin TSOP-II with 0.8mm of pin pitch
- All inputs and outputs referenced to positive edge of system clock
- Data mask function by UDQM or LDQM
- Internal four banks operation
- Auto refresh and self refresh
- 4096 refresh cycles / 64ms
- Programmable Burst Length and Burst Type
- 1, 2, 4, 8 or Full page for Sequential Burst
- 1, 2, 4 or 8 for Interleave Burst
- Programmable CAS Latency ; 2, 3 Clocks
Suite à quelques demandes de renseignements sur les
fréquences spécifiques de la RAM, trouvez ci-dessous quelques
exemples pour vous reporter au site où l'information est disponible
pour chaque marque particulière . Vérifiez les liens et
identifiez votre RAM !
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Comment
disposer des 5, 7 et 12 Volts depuis cette prise..
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